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- 来源:
- 日期: 2016-05-16
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概述
ME2169是一款由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、电流限制电路、
PWM/PFM 控制电路等构成的CMOS 升压型DC/DC控制器。由于使用外接的低导通电阻的增强型N沟道功率MOSFET,因此适用于需要高效率、高输出电流的应用电路。另外,可通过在VSENSE端子连接电流检测电阻 (RSENSE ) 来限制输出电流。由于将电流检测电压 (VSENSE) 设定为100 mV ± 10%,因此可减少在RSENSE 端产生的损耗。ME2169外围的输出电容器可使用陶瓷电容器。并且,采用了小型的SOT23-6封装,因此可适用于高密度安装高精度高效率的应用。
特点
● 具有可自由设置的电流限制功能: 如当设定RSENSE=50mΩ 时,限流值是2A。
● 占空比范围: 基于PWM/PFM 开关控制电路,最高可达78 % (PWM 模式).
● 工作频率:1.0MHz
● 基准电压:1.25V±2.0%
● 消耗电流低 : 静止时 60 μA (典型值)
● 输出电流:3A(V IN = 3.6 V, VOUT = 5.0 V,且设定限流值设定不低于3A)
● 软启动时间: 2 ms(典型值)
● UVLO (欠压锁定) 功能:VDD<2.3V
● 外接元器件 : 电感器、二极管、电容器、晶体管、电阻
应用场合
● 移动电源、数码音响播放器
● LED 照明、GPS、无绳收发机
● 其他携带设备